該設備采用特定的光譜取代原有光源,使用全新的測試線路及測量方式,大幅提高了設備的精度及效率。目前使用設備頻率調(diào)整精度可達±5PPM,合格率98.5%以上,各項指標達到國際先進水平。擁有自主知識產(chǎn)權的設備研發(fā),使公司具有持續(xù)創(chuàng)新能力,經(jīng)過設備升級,可加工更小型的1毫米系列產(chǎn)品。
該設備的研發(fā)成功不僅極大提高了產(chǎn)品品質(zhì)及生產(chǎn)效率,而且設備性能優(yōu)勢得到日本同行的高度認可。目前已交付多套給某全球著名同行,得到該全球巨頭同行的高度評價。
早在十一年前,我司領導高瞻遠矚,幾乎與全球巨頭同步開展半導體光刻工藝在壓電晶體行業(yè)的研究,同時開始一系列相關裝備的自主研制。幾十道工序的半導體工藝關鍵裝備,經(jīng)過近十代設計更新?lián)Q代,已開始列裝生產(chǎn)一線,一系列半導體光刻工藝設備隨產(chǎn)品制程工藝同步研發(fā),在高精度、自動化程度上不斷升級優(yōu)化。獨有的裝備自主研制能力,是我司產(chǎn)品、工藝、技術等多學科高度集成、走在前列的體現(xiàn),也是泰晶科技邁向全球頭部戰(zhàn)略的重要保障。